ITO靶材生产过程包括金属提纯和靶材制造两个主要环节。因高纯金属原料的品质影响靶材的导电性能等性状，对成膜的质量有较大影响，且靶材种类繁多，客户需求非标，定制属性明显。故而金属提纯环节技术壁垒及附加值均较高。其中铟属于稀散金属，因其具有可塑性、延展性、光渗透性和导电性等特点，而以化合物、合金的形式被广泛应用。目前，铟的主要应用领域是平板显示领域，包括ITO靶材及新兴的铟镓锌氧化物（IGZO）靶材，占全球铟消费量的80%；其次是半导体领域、焊料和合金领域、太阳能发电领域等。生产ITO靶材对于铟的纯度要求一般在4N5及以上，生产化合物半导体材料对于铟的纯度要求则更高，一般在6N及以上。山东显示行业陶瓷靶材推荐厂家如果化合物的形成速率大于化合物被剥离的速率，则化合物覆盖面积增加。
AZO透明导电薄膜具有高可见光透过率和低电阻率的特点，因此可以作为平面显示器和太阳能平面电极材料，也可用在节能方面，如建筑玻璃表面和汽车玻璃表面近年来,随着液晶显示、触控面板、有机发光显示、太阳能电池等的发展，使得透明导电薄膜成为关键性材料之一。目前，常用的锡掺杂氧化钢(ITO)透明导电薄膜材料中的金属铟属于稀缺资源，开发具有透光、导电特性的“非铟”材料已成为研究的热点之一。由于氧化锌基(ZnO)透明导电薄膜价格较为低廉，且不具毒性，在发展上具有相当的优异性。因此，对于氧化锌薄膜材料及其制备技术的研发，引起了大家的重视。AZO薄膜是一种透明导电膜，具有与ITO薄膜相比拟的光学和电学特性，并具有制备工艺简单、价格低、无毒和稳定性好等特点，被认为是ITO薄膜的比较好替代材料。
透明导电薄膜的种类很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比较好，ITO具有高透光率，低电阻率。目前 ITO 的制备方法主要是磁控溅射，要获得高质量的 ITO薄膜，制备高密度、高纯度和高均匀性的 ITO 靶材是关键。高质量的成品 ITO 溅射靶应具有99%的相对密度。这样的靶材才具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜。甚至可以在有机材料上溅射 ITO 导电膜。目前ITO靶材的制备方法主要有热压法、冷等静压-烧结法、热等静压法。其中采用冷等静压-烧结法，其相对密度能达到 99%以上，烧结温度高，保温时间长，制备工艺复杂。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，粉末颗粒间放电，产生瞬间高温进行烧结。SPS技术具有快速、低温、高效率等优点。能在很低的烧结温度下，保温很短的时间制备高密度的材料。
陶瓷靶材按化学组成,分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。
