根据最新曝光的信息来看，高通骁龙 8 Gen3 将采用 1＋3＋2＋2 的八核设计，即一个主频高达 3.19GHz的Arm Cortex-X4超大核，3个主频为 3.15GHz的Cortex-A720 大核心，2个主频为 2.96GHz的Cortex-A720 大核心，2个主频为2.27GHz的Cortex-A520 小核心，GPU 则为 Adreno 750。制程工艺方面，最新的传闻称，骁龙8 Gen3也将会采用台积电3nm工艺制造。
此前 X 平台上的用户@Revegnus 爆料称，骁龙 8 Gen 3 for Galaxy 在 Geekbench 6 的多核测试中获得了 7,400 分。这一分数非常惊艳，因为 Galaxy S23 系列搭载的骁龙 8 Gen 2 for Galaxy 处理器在 Geekbench 6 中的多核跑分为 4,975 分，这意味着新款处理器的多核性能提升幅度高达 49%。
另外最新曝光的骁龙8 Gen 3工程样机的Geekbench 6 Vulkan测试结果也被曝光，得分为15434分，相比骁龙8 Gen2的10447分，大幅提升了47.7%。
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